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BCP53T1G中文资料

BCP53T1G图片

BCP53T1G外观图

  • 大小:78.2KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:250; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:40V; Current Ic Continuous a Max:1.5A; Gain Bandwidth ft Typ:50MHz; Hfe Min:250; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1.5W; Termination Type:SMD; Transistor Type:
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 150mA,2V
  • 功率 - 最大:1.5W
  • 频率 - 转换:50MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装:SOT-223
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:BCP53T1GOSTR

BCP53T1G供应商

更新时间:2023-01-10 05:00:16
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